美光 1β dram 内存年底日本量产，1γ 预计 2024 年量产 -j9九游会登陆入口

it之家 6 月 10 日消息，据台湾经济日报消息，台湾美光今天组织媒体参观美光 a3 厂，台湾美光董事长卢东晖宣布表示，a3 厂将下半年导入先进极紫外光设备，为美光 1γ dram 早日量产预做准备。

据介绍，美光规划 2024 年量产 1γ dram 芯片。

据报道，美光的 dram 制造基地主要在中国台湾和日本，其中 1α dram 已在台量产。另外，1β dram 将于今年底在日本量产，之后将转移到台湾生产。

it之家了解到，内存厂商上一代 dram 芯片通过为 1x、1y、1z 区分工艺，1xnm 工艺相当于 16-19nm 级别、1ynm 相当于 14-16nm，1znm 工艺相当于 12-14nm 级别。据业界消息，最新的 1α、1β 和 1γ 可能分别相当于 14-12nm、12-10nm 以及 10nm。