美光科技在日本广岛开始量产“1β”dram，内存密度提升 35% -j9九游会登陆入口

it之家 11 月 27 日消息，据共同社报道，美光科技位于日本广岛县东广岛市的子公司“日本美光存储器公司” 已于 16 日在该市广岛工厂启动最高端的 dram 量产。

据美光介绍，1β 技术可将能效提高约 15%，内存密度提升 35% 以上，单颗裸片容量高达 16gb。

1β 制程技术能实现比以往更低的每比特功耗，为智能手机提供了目前市场上最节能的内存技术。它将助力智能手机制造商推出更长续航的设备 —— 消费者在使用高能耗、数据密集型应用时，延长电池续航时间将至关重要。

全新 jedec 增强型动态电压和频率调节扩展核心（edvfsc）技术使基于 1β 的 lpddr5x 更加节能。在高达 3200 mbps 的双倍频率层上添加 edvfsc，可改善节能控制，从而基于独特的终端用户模式实现更低功耗。

最后，美光表示，美光于未来的一年中将在诸如嵌入式、数据中心、客户端、消费类产品、工业和汽车等其他应用中量产 1β 节点，推出包括显示内存和高带宽内存等产品。

it之家了解到，广岛工厂是美光在 2013 年收购尔必达时所获，于 2019 年建设新厂房等，致力于尖端技术产品 dram 的生产。日本共同社消息指出，日本政府 9 月为夯实其半导体生产基础，宣布将最多补助 464 亿日元用于广岛工厂增强设备。

内存厂商上一代 dram 芯片通过为 1x、1y、1z 区分工艺，1xnm 工艺相当于 16-19nm 级别、1ynm 相当于 14-16nm，1znm 工艺相当于 12-14nm 级别。据业界消息，最新的 1α、1β 和 1γ 可能分别相当于 14-12nm、12-10nm 以及 10nm。

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