sk 海力士开发出业界首款 12 层堆叠 hbm3 dram 芯片,已向客户提供样品 -j9九游会登陆入口
it之家 4 月 20 日消息,sk 海力士j9九游会真人游戏第一品牌官网宣布,再次超越了现有最高性能 dram(内存)——hbm3 的技术界限,全球首次实现垂直堆叠 12 个单品 dram 芯片,成功开发出最高容量 24gb 的 hbm3 dram 新产品。该公司表示,目前正在向客户提供样品,并进行性能评估。
sk 海力士表示:“继去年 6 月率先量产业界首款 hbm3 之后,公司又成功开发出了内存容量比前一代产品增加 50% 的 24gb 封装产品。我们将在下半年向市场供应新产品,以满足由 ai 聊天机器人行业带动的高端内存产品的需求。”
sk 海力士的工程师通过应用先进的批量回流模压填充(mr-muf) 技术,提高了新产品的工艺效率和性能稳定性,同时通过硅通孔(tsv) 技术,将单个 dram 芯片的厚度降低了 40%,达到了与 16gb 产品相同的堆叠高度水平。
hbm 是 sk 海力士在 2013 年首次开发出来的一种内存,由于它在实现运行在高性能计算(hpc)系统中的生成型 ai 中起着至关重要的作用,因此受到了内存芯片行业的广泛关注。最新的 hbm3 标准尤其被认为是快速处理大量数据的理想产品,因此其被全球主要科技公司采用的情况越来越多。
sk 海力士已经向多个对最新产品表达了极大期待的客户提供了 24gb hbm3 产品的样品,同时该产品的性能评估也在进行中。
“sk 海力士之所以能够不断开发出一系列超高速和高容量的 hbm 产品,是因为它在后端工艺中运用了领先的技术,”sk 海力士封装测试部门负责人洪相厚说,“公司计划在今年上半年完成新产品的量产准备工作,以进一步巩固其在 ai 时代尖端 dram 市场中的领导地位。”
it之家注:hbm(high bandwidth memory)是一种高价值、高性能的内存,通过垂直连接多个 dram 芯片,与传统的 dram 产品相比,大幅提高了数据处理速度。hbm dram 产品以 hbm(第一代)、hbm2(第二代)、hbm2e(第三代)、hbm3(第四代)的顺序开发。现有 hbm3 dram 的最大容量是垂直堆叠 8 个单品 dram 芯片的 16gb。